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BB181,335	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：SC-79，SOD-523 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 可變電容（變?nèi)萜?，可變電抗器?描述：DIODE VHF VAR CAP 30V SOD523	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BB181LX	文件：49.66 Kbytes Page：7 Pages	VHFvariablecapacitancediode Generaldescription TheBB181LXisaplanartechnologyvariablecapacitancediodeinaSOD882TultrasmallleadlessplasticSMDpackage. Features ■Excellentlinearity ■UltrasmallleadlessSMDpackage ■Cd(28V):1pF;ratio:14 Applications ■VoltageControlledOscillators(VCO) ■Elect	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BB181LX	文件：56.73 Kbytes Page：7 Pages	VHFvariablecapacitancediode Generaldescription TheBB181LXisaplanartechnologyvariablecapacitancediodeinaSOD882TultrasmallleadlessplasticSMDpackage. Features ■Excellentlinearity ■UltrasmallleadlessSMDpackage ■Cd(28V):1pF;ratio:14 Applications ■VoltageControlledOscillators(VCO) ■Elect	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BC181	文件：75.84 Kbytes Page：1 Pages	LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BD181	文件：166.27 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-POWERSILICONNPNTRANSISTORS High-PowerSiliconN-P-NTransistors BroadlyApplicableDevices ForCommercialUse Features: ■Maximumsafe-area-of-operationcurves ■Lowsaturationvoltages ■Highdissipationratings	GE GE Industrial Company	GE
BD181	文件：144.46 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
BD181	文件：150.15 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS NPNSILICONTRANSISTOR POWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS BD181,BD182andBD183aresiliconNPNtransistorsintendedforawidevariety ofhighpowerapplications.Typicalapplicationsincludepowerswitchingcircuits, audioamplifiers,solenoiddrivers,andseriesandshuntregulators.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD181	文件：78.64 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BF181	文件：456.1 Kbytes Page：6 Pages	NPNTRANZYSTORY [ADVANIOERLIKON] TELEVISION/VIDEODEVICES I.F./R.F.amplifiersandoscillators V.H,F./U.H.F.TVtuningdevices	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BF181	文件：127.97 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BF181	文件：127.97 Kbytes Page：1 Pages	Electricalcharacterlitics GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BF181	文件：2.17749 Mbytes Page：29 Pages	TRANZYSTORY [ADVANIOERLIKON] TELEVISION/VIDEODEVICES I.F./R.F.amplifiersandoscillators V.H,F./U.H.F.TVtuningdevices	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BFP181	文件：60.99 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFP181	文件：79.29 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP181	文件：79.2 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP181	文件：553.73 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP181R	文件：58.88 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFP181R	文件：88.12 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP181T	文件：266.17 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/EC ??andWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersat ??collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFP181TRW	文件：266.17 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/EC ??andWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersat ??collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
BB181,335
制造商：
NXP USA Inc.
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 可變電容（變?nèi)萜鳎勺冸娍蛊鳎?/p>
包裝：
托盤
不同?Vr、F 時電容：
1.055pF @ 28V，1MHz
電容比條件：
C0.5/C28
二極管類型：
單路
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
SC-79，SOD-523
供應(yīng)商器件封裝：
SOD-523
描述：
DIODE VHF VAR CAP 30V SOD523

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	BB181,335	NXP USA Inc.	24+	SC-79,SOD-523	30000	二極管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市易訊博科技有限公司	BB181,335	NXP	22+	NA	45000	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價
深圳市鵬順微電子科技有限公司	BB181,335	NXP	2022+	原廠原包裝	8600	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價
上?；嗜A信息科技有限公司	BB181,335	NXP			1419989	只做正品	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BB181,AM2321AAC-TRT1G,NNCD6.8G/NNCD6.8LG	進(jìn)口品牌	23+	SMD	33282	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳	詢價
深圳市富芯樂電子科技有限公司	BB181.115	NXP	22+	NA	3800	全新原裝品牌專營	詢價
深圳市達(dá)恩科技有限公司	BB181/115	NXP	18+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190	詢價
深圳市中億偉業(yè)電子有限公司	BB181/BB182	NXP	2018+	SOD523	99000	承諾正品公司可開17%增值稅票	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	BB181/N	NXP	1822+	0603	6852	只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!!	詢價
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更多BB181,335供應(yīng)商更新時間2024-11-19 18:05:00

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