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BC170	文件：64.66 Kbytes Page：2 Pages	npnsiliconplanartransistor	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BC170	文件：75.84 Kbytes Page：1 Pages	LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BD170	文件：78.95 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS ComplementaryBD165,167,169 AudioAmplifierandDriverCircuitApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BJS170TS-JPH	文件：321.7 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLEDLAMPS [GRANDHALO] SURFACEMOUNTLEDLAMPS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BS170	文件：49.71 Kbytes Page：8 Pages	N-channelverticalD-MOStransistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinTO-92variantenvelopeandintendedforuseinrelay,high-speedandline-transformerdrivers. FEATURES ?VerylowRDS(on). ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-speedswitching. ?Nosecondarybreakdow	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BS170	文件：77.57 Kbytes Page：4 Pages	TMOSFETSwitching(N-Channel-Enhancement) TMOSFETSwitching N–Channel—Enhancement	Motorola Motorola, Inc	Motorola
BS170	文件：51.23 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ●LowOn-Resistance:2.5Ω ●LowThreshold:2.1V ●LowInputCapacitance:22pF ●FastSwitchingSpeed:7ns ●LowInputandOutputLeakage BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Low-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●High-SpeedCircuits ●LowErrorVoltage APPLICATI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BS170	文件：75.64 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theycanb	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BS170	文件：66.37 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODETRANSISTOR Features ?HighInputImpedance ?FastSwitchingSpeed ?CMOSLogicCompatibleInput ?NoThermalRunawayorSecondaryBreakdFeatures	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BS170	文件：233.09 Kbytes Page：5 Pages	DMOSTransistors(N-Channel) FEATURES ?Highinputimpedance ?High-speedswitching ?Nominoritycarrierstoragetime ?CMOSlogiccompatibleinput ?Nothermalrunaway ?Nosecondarybreakdown	GE GE Industrial Company	GE
BS170	文件：52.79 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFETSmallSignalMOSFETSmallSignalMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingONSemiconductorsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.The	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BS170	文件：57.97 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFET500mA,60VoltsN??hannelTO??2(TO??26)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BS170	文件：517.87 Kbytes Page：13 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BS170	文件：77.94 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevel) ?Nchannel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?VGS(th)=0.8...2.0V	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BS170	文件：64.519 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ●LowOn-Resistance:2.5Ω ●LowThreshold:2.1V ●LowInputCapacitance:22pF ●FastSwitchingSpeed:7ns ●LowInputandOutputLeakage BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Low-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●High-SpeedCircuits ●LowErrorVoltage APPLICATI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BS170	文件：68.91 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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BS170F	文件：23.91 Kbytes Page：1 Pages	SOT23N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
BS170F	文件：26.48 Kbytes Page：1 Pages	60VoltVDS FEATURES 60VoltVDS RDS(ON)=5? PARTMARKINGDETAIL–MV	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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更多BB170-O供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-26 9:50:00

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