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BAP63-02

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BAP63-02

SiliconPINdiode

Features ●HighspeedswitchingforRFsignals ●Lowdiodecapacitance ●Lowdiodeforwardresistance ●Verylowseriesinductance. ●Forapplicationsupto3GHz.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

BAP63-02

SiliconPINdiode

DESCRIPTION PlanarPINdiodeinaSOD523ultrasmallSMDplasticpackage. FEATURES ?HighspeedswitchingforRFsignals ?Lowdiodecapacitance ?Lowdiodeforwardresistance ?Verylowseriesinductance ?Forapplicationsupto3GHz. APPLICATIONS ?RFattenuatorsandswitches.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BAP63-02

SiliconPINdiode

DESCRIPTION PlanarPINdiodeinaSOD523ultrasmallSMDplasticpackage. FEATURES ?HighspeedswitchingforRFsignals ?Lowdiodecapacitance ?Lowdiodeforwardresistance ?Verylowseriesinductance ?Forapplicationsupto3GHz. APPLICATIONS ?RFattenuatorsandswitches.

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BAR63-02L

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02L

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02L

SiliconPINDiodes

●PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals ●Verylowforwardresistance(lowinsertionloss) ●Verylowcapacitance(highisolation) ●Forfrequenciesupto3GHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02L

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02V

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02V

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02V

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02V

SiliconPINDiodes

●PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals ●Verylowforwardresistance(lowinsertionloss) ●Verylowcapacitance(highisolation) ●Forfrequenciesupto3GHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02W

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02W

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02W

SiliconPINDiode(PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals,Lowforwardresistance,smallcapacitancesmallinductance)

SiliconPINDiode ?PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals ?Lowforwardresistance,smallcapacitancesmallinductance ?Verylowcapacitance ?Forfrequenciesupto3GHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BAR63-02W

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02W

SiliconPINDiodes

●PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals ●Verylowforwardresistance(lowinsertionloss) ●Verylowcapacitance(highisolation) ●Forfrequenciesupto3GHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAT63-02V

SiliconSchottkyDiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAT63-02V

LowbarrierdiodefordetectorsuptoGHzfrequencies

?LowbarrierdiodefordetectorsuptoGHzfrequencies ?Pb-free(RoHScompliant)package

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAT63-02V

SiliconSchottkyDiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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INFINEON
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6000
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更多BAR63-02V/GG供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-28 13:30:00