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PRESS-FITBOSCHDIODES | SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司 | SHUNYE | ||
BP-3533PSTN.O.,50Amps,115/200VAC,400Hz | MACOM Tyco Electronics | MACOM | ||
GuardsagainstaccidentaldisconnectionofComputers,PDU’s,ServersandmostNetworkDevices. | BURLAND Burland Technology Solutions | BURLAND | ||
mainratings SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmode) | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司 | SIEMENS | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive, | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
GaAsMMIC | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
PCIPrintChip | WCHNanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd. 沁恒微電子南京沁恒微電子股份有限公司 | WCH | ||
PCIPrintChip | WCHNanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd. 沁恒微電子南京沁恒微電子股份有限公司 | WCH | ||
SmallSignalTransistorsNPN-HighCurrentTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize66x66MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadArea7.9x7.9MILS Emitter1BondingPadArea7.9x9.5MILS Emitter2BondingPadArea7.9x9.5MILS TopSideMetalizationAl-Si-30,000? BackSideMetalizatio | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | ||
piezoaudioindicators | CUI CUI Inc. | CUI |
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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