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BUZ350

SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rated)

SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BUZ350

SIPMOSPowerTransistor

SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BUZ350

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多B350AE供應(yīng)商 更新時間2025-3-28 16:20:00

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