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F2N60

N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTCF2N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsi

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更多B2N60D供應商 更新時間2025-3-28 14:01:00

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