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B11G1822N60DYZ

LDMOS 2-stage integrated Doherty MMIC

Generaldescription TheB11G1822N60Disadualsection2-stagefullyintegratedDohertyMMICsolution usingAmpleon'sstateoftheartLDMOStechnology.Thecarrierandpeakingdevice,input splitter,outputcombinerandpre-matchareintegratedineachsection.Thismultiband deviceisperfec

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

B11G1822N60DYZ

包裝：托盤 封裝/外殼：36-QFN 裸焊盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：B11G1822N60DYZ/PQFN-12X7/REELDP

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

B11G1822N60D

LDMOS2-stageintegratedDohertyMMIC

Generaldescription TheB11G1822N60Disadualsection2-stagefullyintegratedDohertyMMICsolution usingAmpleon'sstateoftheartLDMOStechnology.Thecarrierandpeakingdevice,input splitter,outputcombinerandpre-matchareintegratedineachsection.Thismultiband deviceisperfec

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

B11G1822N60DX

LDMOS2-stageintegratedDohertyMMIC

Generaldescription TheB11G1822N60Disadualsection2-stagefullyintegratedDohertyMMICsolution usingAmpleon'sstateoftheartLDMOStechnology.Thecarrierandpeakingdevice,input splitter,outputcombinerandpre-matchareintegratedineachsection.Thismultiband deviceisperfec

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    B11G1822N60DYZ

  • 制造商：

    Ampleon USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS（雙）

  • 頻率：

    1.8GHz ~ 2.2GHz

  • 增益：

    32dB

  • 額定電流（安培）：

    1.4μA

  • 封裝/外殼：

    36-QFN 裸焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    36-PQFN（12x7）

  • 描述：

    B11G1822N60DYZ/PQFN-12X7/REELDP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多B11G1822N60DYZ供應(yīng)商 更新時間2024-11-17 17:02:00

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