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AZT630	文件：139.32 Kbytes Page：4 Pages	HIGH CURRENT PHASE CONTROL	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
AZT630S28	文件：139.32 Kbytes Page：4 Pages	HIGH CURRENT PHASE CONTROL	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
B630	文件：1.35377 Mbytes Page：11 Pages	9A200VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 1Description TheseN-channelEnhancedVDMOSFETs,isobtainedby theself-alignedplanartechnologywhichreducethe conductionloss,improveswitchingperformanceand enhancetheavalancheenergy.Whichaccordswiththe RoHSstandard. 2Features ●FastSwitching ●LowONResistance(Rdso	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
BAL630G	文件：375.7 Kbytes Page：3 Pages	Motorspeedandphasecontrol	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
BB630	文件：537.96 Kbytes Page：2 Pages	630tie-pointSolderlessPlug-inBreadBoard BB630Features: ?630tie-pointIC-circuitarea. ?WhiteABSplasticbodywithblackprintedlegend. ?ContactsarePhosphorBronzewithPlatedNickelFinish,ratedfor50,000insertions. ?Ratedat36Volts,2Amps. ?InsertionWireSizeis21to26AWG,0.016to0.028inchesdiameter(0.4t	BUSBOARD BusBoard Prototype Systems Ltd.	BUSBOARD
BFU630F	文件：340.16 Kbytes Page：12 Pages	NPNwidebandsiliconRFtransistor	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFU630F	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BRD630	文件：610.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BRD630	文件：1.08539 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
BRD630	文件：1.57214 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
BRI630	文件：600.09 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET(200V/9A)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BTM-630	文件：116.53 Kbytes Page：1 Pages	BC08StereoSpeakerA2DPModule	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BTS630	文件：133.78 Kbytes Page：8 Pages	PWMPowerUnit(Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads.) PWMPowerUnit Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads. ?Highsideswitch ?Overtemperaturprotection ?Shortcircuit/overloadprotectionthroughpulsewidtreductionandoverloadshutdown ?Loaddumpprotection ?Undervoltageandovervoltageshutdownw	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BW630HAGU	文件：9.70248 Mbytes Page：93 Pages	MoldedCaseCircuitBreakers	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
BW630RAGU	文件：9.70248 Mbytes Page：93 Pages	MoldedCaseCircuitBreakers	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
C630	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features ?SingleOutput ?3Ux42TEx166.5mm ?Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C630	文件：5.29445 Mbytes Page：66 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
CEB630N	文件：375.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB630N	文件：596.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEBF630	文件：506.98 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET

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更多AZT630供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-20 15:00:00

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