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AUIRFL014NTR	文件：219.5 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Planar Technology Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
AUIRFL014NTR	文件：416.93 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVE GRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
AUIRLL014N	文件：231.61 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
AUIRLL014N	文件：554.54 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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AUIRLR014N	文件：209.42 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLogic-LevelGateDrive Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRF International Rectifier	IRF
AUIRLR014N	文件：411.28 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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AUIRLR014NTRL	文件：209.42 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLogic-LevelGateDrive Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRF International Rectifier	IRF
AUIRLR014NTRL	文件：411.28 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
AUIRLR014NTRR	文件：209.42 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLogic-LevelGateDrive Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRF International Rectifier	IRF
AUMSCD014H	文件：38.81 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
BES014A	文件：106.37 Kbytes Page：2 Pages	InductiveSensors	BalluffBalluff Korea Ltd. 巴魯夫巴魯夫集團(tuán)	Balluff
BES014K	文件：107.15 Kbytes Page：2 Pages	InductiveSensors	BalluffBalluff Korea Ltd. 巴魯夫巴魯夫集團(tuán)	Balluff
BES014L	文件：106.88 Kbytes Page：2 Pages	InductiveSensors	BalluffBalluff Korea Ltd. 巴魯夫巴魯夫集團(tuán)	Balluff
BES014M	文件：110.14 Kbytes Page：2 Pages	InductiveSensors	BalluffBalluff Korea Ltd. 巴魯夫巴魯夫集團(tuán)	Balluff
BES014W	文件：108.2 Kbytes Page：2 Pages	InductiveSensors	BalluffBalluff Korea Ltd. 巴魯夫巴魯夫集團(tuán)	Balluff
BH014	文件：126.61 Kbytes Page：1 Pages	BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亞當(dāng)科技亞當(dāng)科技股份有限公司	ADAM-TECH
BIS014C	文件：145.04 Kbytes Page：3 Pages	Multi-FrequencyProcessor	BalluffBalluff Korea Ltd. 巴魯夫巴魯夫集團(tuán)	Balluff

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
AUIRFL014NTR
功能描述：
MOSFET Automotive MOSFET 55V, 1.9A, 160 mOhm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市高捷芯城科技有限公司	AUIRFL014NTR	Infineon(英飛凌)	23+	SOT-223	9555	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
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更多AUIRFL014NTR供應(yīng)商更新時間2025-1-11 16:36:00

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