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BSS123

N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

DescriptionandApplications TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingDIODESproprietary,highdensity,usesadvancedtrenchtechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperform

DIODES

Diodes Incorporated

BSS123

SIPMOSSmall-Signal-Transistor

SIPMOS?Small-Signal-Transistor Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?dv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoAECQ101

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSS123

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

BSS123

PowerMOSFETN-Channel

Features: *LowOn-Resistance:6.0Ω *LowInputCapacitance:20PF *LowOutputCapacitance:9PF *LowThreshole:2.8V *FastSwitchingSpeed:20ns Application: *DCtoDCConverter *Cellular&PCMCIACard *CordlessTelephone *PowerManagementinPortableandBatteryetc.

WEITRON

Weitron Technology

BSS123

N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

DIODES

Diodes Incorporated

BSS123

N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

DIODES

Diodes Incorporated

BSS123

SIPMOSSmall-Signal-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSS123

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features ?HighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?VoltageControlledSmallSignalSwitch ?SurfaceMountPackage ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?MoistureSensitivityLevel1 ?HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSComplian

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

BSS123

N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage

Descriptions N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage. Features HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Applications ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

BSS123

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Description TheseN-Channelenhancementmodefieldeffecttransistorsusesadvancedtrenchtechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theseproductsareparticularlysuitedforlowvoltage,lowcurr

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    ATS123-E

  • 制造商：

    CTS-Frequency Controls

  • 類別：

    晶體，振蕩器，諧振器 > 晶體

  • 系列：

    ATS

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 類型：

    MHz 晶體

  • 頻率穩(wěn)定性：

    ±50ppm

  • 頻率容差：

    ±30ppm

  • 負(fù)載電容：

    20pF

  • 工作模式：

    基諧

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    HC-49/US

  • 大小 / 尺寸：

    0.427" 長 x 0.177" 寬（10.85mm x 4.50mm）

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    0.145"（3.68mm）

  • 描述：

    CRYSTAL 12.2960MHZ 20PF TH

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多ATS123-E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-26 16:04:00

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