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BPF-A122+

BandpassFilter

MINI

Mini-Circuits

BSP122

N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor

DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT223packageandintendedforuseasalinecurrentinterruptorintelephonesetsandforapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-spe

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BSP122

N-Channel200V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

BSP122

N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor

FEATURES ·DirectinterfacetoC-MOS,TTL, etc. ·High-speedswitching ·Nosecondarybreakdown. DESCRIPTION N-channelenhancementmode verticalD-MOStransistorina SOT223packageandintendedfor useasalinecurrentinterruptorin telephonesetsandforapplicationsin relay,high-

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BSP122

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GENERALFEATURES Vos=200V =10A@Vos=10v. BRoson$1350@Vos=10V 507-223package.|

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

BST122

P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor

DESCRIPTION P-channelverticalD-MOStransistorinSOT89envelopeandintendedforuseinrelay,high-speedandline-transformerdrivers,usingSMD-technology. FEATURES ?VerylowRDS(on) ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL ?High-speedswitching ?Nosecondbreakdown

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BT122

BT122isadualmodeBluetoothBR/EDR-BLEmoduletargetedforapplicationsthatrequirebothBluetoothLowEnergyandClassicconnectivity.

1.FeatureList ?BluetoothFeatures ?Bluetoothv4.2BR/EDRandBLEcompliant ?Upto6xBR/EDRconnections ?Upto7xBLEconnections ?1xBR/EDR+6xBLEconnectionssimultaneously ?Scatternet:3simultaneouspiconets ?RadioFeatures ?Integratedantenna ?TXPower,BR+11dBm,ED

SILABS

Silicon Laboratories

BTS122

TNCBULKHEADJACKFORECSCABLE311201,421201

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

C122

8-ASiliconControlledRectifiers

8-ASiliconControlledRectifiers ForPowerSwitching,PowerControl Features: ■Highdv/dtcapability ■Glass-passivatedchip ■Shorted-emittergate-cathodeconstruction ■Lowthermalresistance

SSDI

Solid States Devices, Inc

C122

8ASILICONCONTROLLEDRECTIFIERS

8ASILICONCONTROLLEDRECTIFIERS AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.

DIGITRON

Digitron Semiconductors

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    ATS122B-E

  • 制造商：

    CTS-Frequency Controls

  • 類別：

    晶體，振蕩器，諧振器 > 晶體

  • 系列：

    ATS

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 類型：

    MHz 晶體

  • 頻率穩(wěn)定性：

    ±50ppm

  • 頻率容差：

    ±30ppm

  • 負(fù)載電容：

    18pF

  • 工作模式：

    基諧

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    HC-49/US

  • 大小 / 尺寸：

    0.427" 長 x 0.177" 寬（10.85mm x 4.50mm）

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    0.145"（3.68mm）

  • 描述：

    CRYSTAL 12.2880MHZ 18PF TH

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多ATS122B-E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-25 10:45:00

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