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BT111-A-HCI

Bluetooth?SmartReadyHCIModule

KEYFEATURES ?Bluetoothv.4.0,dualmodecompliant ?SupportBluetoothclassic ?SupportsBluetoothlow energymasterandslavemode ?Radiocapabilities ?Transmitpower:+8dBm ?Receiversensitivity:-89dBm ?Line-of-sightrange:100+meters ?Integratedantenna ?Interfaces ?HCIov

SILABS

Silicon Laboratories

BU111

iscSiliconNPNPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BU111

SiliconNPNPowerTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

BUZ111

SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevelAvalanche-rateddv/dtrated)

Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?LogicLevel ?dv/dtrated ?175?Coperatingtemperature

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BUZ111

SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated)

SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated ?dv/dtrated ?175°Coperatingtemperature ?alsoinSMDavailable

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BUZ111S

SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated)

SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated ?dv/dtrated ?175°Coperatingtemperature ?alsoinSMDavailable

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BUZ111S

SIPMOSPowerTransistor

Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?dv/dtrated ?175?Coperatingtemperature

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BUZ111S

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.008Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BUZ111SL

SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevelAvalanche-rateddv/dtrated)

Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?LogicLevel ?dv/dtrated ?175?Coperatingtemperature

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

CAPA111

1DDR3SO-DIMMsupportsupto4GBmemorycapacity

AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd.

艾訊科技艾訊股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    ATS111B-E

  • 制造商：

    CTS-Frequency Controls

  • 類別：

    晶體，振蕩器，諧振器 > 晶體

  • 系列：

    ATS

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 類型：

    MHz 晶體

  • 頻率穩(wěn)定性：

    ±50ppm

  • 頻率容差：

    ±30ppm

  • 負載電容：

    18pF

  • 工作模式：

    基諧

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    HC-49/US

  • 大小 / 尺寸：

    0.427" 長 x 0.177" 寬（10.85mm x 4.50mm）

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    0.145"（3.68mm）

  • 描述：

    CRYSTAL 11.0592MHZ 18PF TH

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多ATS111B-E供應商 更新時間2025-3-29 14:04:00

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