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ATP106-TL-H	文件：345.76 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET P-ChannelPowerMOSFET –40V,–30A,25mΩ,SingleATPAK Features ?LowON-resistance ?Slimpackage ?Halogenfreecompliance ?Largecurrent ?4.5Vdrive ?Protectiondiodein	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
ATP106-TL-H	文件：452.2 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO
AU106	文件：329 Kbytes Page：4 Pages	GERMANIUMPOWERTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
AUMSCD106H	文件：62.32 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
AUSSCD106H	文件：51.72 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
B106B	文件：481.08 Kbytes Page：2 Pages	SMOKEDETECTORS	SYSTEMSENSOR Systemsensor advanced ideas.	SYSTEMSENSOR
B106BR	文件：481.08 Kbytes Page：2 Pages	SMOKEDETECTORS	SYSTEMSENSOR Systemsensor advanced ideas.	SYSTEMSENSOR
B106S	文件：556.31 Kbytes Page：5 Pages	MINISURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER FEATURES ?PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryrecognition94V-O ?Lowleakage ?Surgeoverloadrating--30amperespeak ?Idealforprintedcircuitboard ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective MECHANICALDATA ?Case:Reliablelowcostconstructionut	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
BB106A	文件：163.33 Kbytes Page：1 Pages	SilicljeveplanarnesignalnediodeSiliconplanarsignaldiodes	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
BDB106	文件：41.16 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BFR106	文件：63.23 Kbytes Page：8 Pages	NPN5GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorinaplasticSOT23envelope.Itisprimarilyintendedforlownoise,generalRFapplications.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFR106	文件：57.83 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiers ?Forlinearbroadbandamplifiers ?Specialapplication:antennaamplifiers ?Complementarytype:BFR194(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFR106	文件：80.64 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?HighlinearitylownoiseRFtransistor ?22dBmOP1dBand31dBmOIP3@900MHz,8V,70mA ?ForUHF/VHFapplications ?Driverformultistageamplifiers ?Forlinearbroadbandandantennaamplifiers ?Collectordesignsupports5Vsupplyvoltage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR106	文件：523.74 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR106	文件：622.35 Kbytes Page：8 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR106	文件：73.76 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BFR106	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFR106	文件：189.42 Kbytes Page：5 Pages	LowNoiseFigure DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFR106	文件：229.01 Kbytes Page：10 Pages	NPN5GHzwidebandtransistor	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BGF106C	文件：571.4 Kbytes Page：7 Pages	SIMCardInterfaceFilterandESDProtection	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
ATP106-TL-H
功能描述：
MOSFET SWITCHING DEVICE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市坤融電子科技有限公司	ATP106-TL-H	ON/安森美	24+	TO-252	13473	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	ATP106-TL-H	ON(安森美)	2023+	ATPAK-3	4550	全新原裝正品	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	ATP106-TL-H	onsemi(安森美)	23+	ATPAK-3	9908	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
深圳市芯球通科技有限公司	ATP106-TL-H	ON(安森美)	23+	ATPAK-3	10219	公司只做原裝正品,假一賠十	詢價
深圳市中福國際管理有限公司	ATP106-TL-H	ONSEMI/安森美	23+	DPAKTO-252	360000	專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價格低	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	ATP106-TL-H	Sanyo	23+	ATPAK	7750	全新原裝優(yōu)勢	詢價
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實業(yè)有限公司	ATP106-TL-H	ON	17+	NA	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市凌旭科技有限公司	ATP106-TL-H	ON	2016+	TO-252	3000	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價
深圳市達(dá)恩科技有限公司	ATP106-TL-H	ONSemiconductor	18+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)	詢價
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	ATP106-TL-H	ON	24+	SMD	12000	原廠/代理渠道價格優(yōu)勢	詢價

更多ATP106-TL-H供應(yīng)商更新時間2025-1-13 11:03:00

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