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BX3053	文件：38.72 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
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CA3053E	文件：109.34 Kbytes Page：12 Pages	Differential/CascodeAmplifiersforCommercialandIndustrialEquipmentfromDCto120MHz Description TheCA3028AandCA3028Baredifferential/cascodeamplifiersdesignedforuseincommunicationsandindustrialequipmentoperatingatfrequenciesfromDCto120MHz.TheCA3028BisliketheCA3028AbutiscapableofpremiumperformanceparticularlyincriticalDCanddifferentialampl	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
CEB3053A	文件：443.6 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-90A,RDS(ON)=5.8mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=9.1mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEM3053	文件：391.1 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-15A,RDS(ON)=7mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=15mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage. ■ESDProtected:4000V	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEM3053A	文件：782.81 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-16.4A,RDS(ON)=5.8mW@VGS=-10V. RDS(ON)=9.1mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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