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AT-64020

Up to 4 GHz Linear Power Silicon Bipolar Transistor

Description TheAT-64020isahighperformanceNPNsiliconbipolartransistorhousedinahermeticBeOdiskpackageforgoodthermalcharacteristics.Thisdeviceisdesignedforuseinmediumpower,widebandamplifierandoscillatorapplicationsoperatingoverVHF,UHFandmicrowavefrequencie

HPAgilent(Hewlett-Packard)

安捷倫科技安捷倫科技有限公司

AT-64020

Up to 4 GHz Linear Power Silicon Bipolar Transistor

Description TheAT-64020isahighperformanceNPNsiliconbipolartransistorhousedinahermeticBeOdiskpackageforgoodthermalcharacteristics.Thisdeviceisdesignedforuseinmediumpower,widebandampliferandoscillatorapplicationsoperatingoverVHF,UHFandmicrowavefrequencies

AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED

安華高

AT-64020

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:4-SMD(200 密耳 BeO) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 20V 200SMD

Broadcom Limited

Broadcom Limited

Broadcom Limited

AT64020

NPNSILICONRFTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheAT64020isaCommonEmitterDeviceDesignedforMediumPowerClassCApplicationsOperatingatVHF,UHFFrequencies.

ASI

Advanced Semiconductor

PHT64020B

Upto6GHzLinearPowerSiliconBipolarTransistor

TELEDYNE

Teledyne Technologies Incorporated

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    AT-64020

  • 制造商:

    Broadcom Limited

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    20V

  • 功率 - 最大值:

    3W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 110mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    4-SMD(200 密耳 BeO)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 20V 200SMD

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
AVAGOTECHNOLOGIES
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更多AT-64020供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-13 10:01:00