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AT-64020

Up to 4 GHz Linear Power Silicon Bipolar Transistor

Description TheAT-64020isahighperformanceNPNsiliconbipolartransistorhousedinahermeticBeOdiskpackageforgoodthermalcharacteristics.Thisdeviceisdesignedforuseinmediumpower,widebandamplifierandoscillatorapplicationsoperatingoverVHF,UHFandmicrowavefrequencie

HPAgilent(Hewlett-Packard)

安捷倫科技安捷倫科技有限公司

AT-64020

Up to 4 GHz Linear Power Silicon Bipolar Transistor

Description TheAT-64020isahighperformanceNPNsiliconbipolartransistorhousedinahermeticBeOdiskpackageforgoodthermalcharacteristics.Thisdeviceisdesignedforuseinmediumpower,widebandampliferandoscillatorapplicationsoperatingoverVHF,UHFandmicrowavefrequencies

AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED

安華高

AT-64020

Package：4-SMD（200 密耳 BeO）；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 20V 200SMD

Broadcom Limited

Broadcom Limited

Broadcom Limited

AT64020

NPNSILICONRFTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheAT64020isaCommonEmitterDeviceDesignedforMediumPowerClassCApplicationsOperatingatVHF,UHFFrequencies.

ASI

Advanced Semiconductor

PHT64020B

Upto6GHzLinearPowerSiliconBipolarTransistor

TELEDYNE

Teledyne Technologies Incorporated

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    AT-64020

  • 制造商：

    Broadcom Limited

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    20V

  • 功率 - 最大值：

    3W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 110mA，8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    200mA

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    4-SMD（200 密耳 BeO）

  • 描述：

    RF TRANS NPN 20V 200SMD

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多AT-64020供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-1 10:00:00

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