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AT-42035G

Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor

Description AvagoTechnologiesAT-42035isageneralpurposeNPNbipolartransistorthato?ersexcellenthighfrequencyperformance.TheAT-42035ishousedinacoste?ectivesurfacemount100milmicro-Xpackage.The4micronemitter-to-emitterpitchenablesthistransistortobeusedinmanyd

AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED

安華高

AT-42035G

Package：4-SMD（35 micro-X）；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO X

Broadcom Limited

Broadcom Limited

Broadcom Limited

AT-42035

Upto6GHzMediumPowerSiliconBipolarTransistor

Description AvagoTechnologiesAT-42035isageneralpurposeNPNbipolartransistorthato?ersexcellenthighfrequencyperformance.TheAT-42035ishousedinacoste?ectivesurfacemount100milmicro-Xpackage.The4micronemitter-to-emitterpitchenablesthistransistortobeusedinmanyd

AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED

安華高

AT-42035

Upto6GHzMediumPowerSiliconBipolarTransistor

Description Hewlett-Packard’sAT-42035isageneralpurposeNPNbipolartransistorthatoffersexcellenthighfrequencyperformance.TheAT-42035ishousedinacosteffectivesurfacemount100milmicro-Xpackage.The4micronemitter-to-emitterpitchenablesthistransistortobeusedinmany

HPAgilent(Hewlett-Packard)

安捷倫科技安捷倫科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    AT-42035G

  • 制造商：

    Broadcom Limited

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    8GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz

  • 增益：

    10dB ~ 13.5dB

  • 功率 - 最大值：

    600mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    30 @ 35mA，8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    80mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    4-SMD（35 micro-X）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    35 micro-X

  • 描述：

    RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO X

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多AT-42035G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-27 10:50:00

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