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AT-32011-TR1

Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor

Description HewlettPackard’sAT-32011andAT-32033arehighperformanceNPNbipolartransistorsthathavebeenoptimizedformaximumftatlowvoltageoperation,makingthemidealforuseinbatterypoweredapplicationsinwirelessmarkets.TheAT-32033usesthe3?leadSOT-23,whiletheAT-320

HPAgilent(Hewlett-Packard)

安捷倫科技安捷倫科技有限公司

AT-32011-TR1

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 封裝/外殼：TO-253-4，TO-253AA 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 5.5V SOT143

Broadcom Limited

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Broadcom Limited

AT-32011-TR1G

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 封裝/外殼：TO-253-4，TO-253AA 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 5.5V SOT143

Broadcom Limited

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    AT-32011-TR1

  • 制造商：

    Broadcom Limited

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    5.5V

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

  • 增益：

    12.5dB ~ 14dB

  • 功率 - 最大值：

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    70 @ 2mA，2.7V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    32mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-253-4，TO-253AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-143

  • 描述：

    RF TRANS NPN 5.5V SOT143

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更多AT-32011-TR1供應(yīng)商 更新時間2025-1-1 10:50:00

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