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AS7C1026B-20JC中文資料ALSC數據手冊PDF規(guī)格書

AS7C1026B-20JC
廠商型號

AS7C1026B-20JC

參數屬性

AS7C1026B-20JC 封裝/外殼為44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

功能描述

5 V 64K X 16 CMOS SRAM

文件大小

122.71 Kbytes

頁面數量

10

生產廠商 Alliance Semiconductor Corporation
企業(yè)簡稱

ALSC

中文名稱

Alliance Semiconductor Corporation官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-19 18:26:00

AS7C1026B-20JC規(guī)格書詳情

Functional description

The AS7C1026B is a high-performance CMOS 1,048,576-bit Static Random Access Memory (SRAM) device organized as 65,536 words × 16 bits. It is designed for memory applications where fast data access, low power, and simple interfacing are desired.

Features

? Industrial and commercial versions

? Organization: 65,536 words × 16 bits

? Center power and ground pins for low noise

? High speed

- 10/12/15/20 ns address access time

- 5, 6, 7, 8 ns output enable access time

? Low power consumption: ACTIVE

- 605 mW / max @ 10 ns

? Low power consumption: STANDBY

- 55 mW / max CMOS I/O

? 6 T 0.18 u CMOS technology

? Easy memory expansion with CE, OE inputs

? TTL-compatible, three-state I/O

? JEDEC standard packaging

- 44-pin 400 mil SOJ

- 44-pin TSOP 2-400

? ESD protection ≥ 2000 volts

? Latch-up current ≥ 200 mA

產品屬性

  • 產品編號:

    AS7C1026B-20JCNTR

  • 制造商:

    Alliance Memory, Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術:

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    20ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    44-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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