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AS7C1026B-12JC集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

AS7C1026B-12JC
廠商型號

AS7C1026B-12JC

參數(shù)屬性

AS7C1026B-12JC 封裝/外殼為44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

功能描述

5 V 64K X 16 CMOS SRAM

封裝外殼

44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

文件大小

122.71 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Alliance Semiconductor Corporation
企業(yè)簡稱

ALSC

中文名稱

Alliance Semiconductor Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-15 20:00:00

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AS7C1026B-12JC規(guī)格書詳情

Functional description

The AS7C1026B is a high-performance CMOS 1,048,576-bit Static Random Access Memory (SRAM) device organized as 65,536 words × 16 bits. It is designed for memory applications where fast data access, low power, and simple interfacing are desired.

Features

? Industrial and commercial versions

? Organization: 65,536 words × 16 bits

? Center power and ground pins for low noise

? High speed

- 10/12/15/20 ns address access time

- 5, 6, 7, 8 ns output enable access time

? Low power consumption: ACTIVE

- 605 mW / max @ 10 ns

? Low power consumption: STANDBY

- 55 mW / max CMOS I/O

? 6 T 0.18 u CMOS technology

? Easy memory expansion with CE, OE inputs

? TTL-compatible, three-state I/O

? JEDEC standard packaging

- 44-pin 400 mil SOJ

- 44-pin TSOP 2-400

? ESD protection ≥ 2000 volts

? Latch-up current ≥ 200 mA

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    AS7C1026B-12JCNTR

  • 制造商:

    Alliance Memory, Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    12ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    44-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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