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AS6C2016-55BINTR_集成電路（IC） 存儲(chǔ)器-ALLIANCEMEMORY

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原廠料號(hào)：AS6C2016-55BINTR品牌：Alliance Memory, Inc.

資料說明：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA

AS6C2016-55BINTR是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商ALLIANCEMEMORY/Alliance Memory, Inc.生產(chǎn)封裝48-TFBGA的AS6C2016-55BINTR存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號(hào)：

    as6c2016-55bintr

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ALLIANCEMEMORY詳情

  • 廠商全稱：

    Alliance Memory, Inc.

  • 資料說明：

    IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    AS6C2016-55BINTR

  • 制造商：

    Alliance Memory, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    2Mb（128K x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    55ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TFBGA（6x8）

  • 描述：

    IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA

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