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AQV414EAX	文件：54.95 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOS RELAYS FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國)有限公司	NAIS
AQV414EAX	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-SMD（0.300"，7.62mm）；包裝：管件類別：繼電器固態(tài)繼電器描述：SSR RELAY DPST-NC 120MA 0-400V	Panasonic Electric Works Panasonic Electric Works	Panasonic Electric Works
AQV414EAX	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-SMD（0.300"，7.62mm）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：繼電器固態(tài)繼電器描述：SSR RELAY DPST-NC 120MA 0-400V	Panasonic Electric Works Panasonic Electric Works	Panasonic Electric Works
AQV414EAZ	文件：54.95 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國)有限公司	NAIS
AQV414EH	文件：54.95 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國)有限公司	NAIS
AQV414EHA	文件：54.95 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國)有限公司	NAIS
AQV414EHAX	文件：54.95 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國)有限公司	NAIS
AQV414EHAZ	文件：54.95 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國)有限公司	NAIS
AQV414S	文件：157.89 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGE,PHOTOMOSRELAY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
AQW414	文件：39.54 Kbytes Page：2 Pages	GU(GeneralUse)Type[2-Channel(FormB)Type]	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
AQV414EAX
制造商：
Panasonic Electric Works
類別：
繼電器 > 固態(tài)繼電器
系列：
PhotoMOS? AQV
包裝：
管件
安裝類型：
表面貼裝型
電路：
DPST-NC（2 Form B）
輸出類型：
AC，DC
電壓 - 輸入：
1.25VDC
端接樣式：
鷗翼
封裝/外殼：
6-SMD（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商器件封裝：
6-SMD
描述：
SSR RELAY DPST-NC 120MA 0-400V

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	AQV414EAX	NAIS	24+	SOP	780		詢價(jià)
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更多AQV414EAX供應(yīng)商更新時(shí)間2025-3-27 16:30:00

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