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APTGF50DH60TG_MICROSEMI/美高森美_IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4瑞航達(dá)科技

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  • 廠家型號(hào)：

    APTGF50DH60TG

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    MICROSEMI

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    638

  • 產(chǎn)品封裝：

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-5-28 15:01:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：APTGF50DH60TG品牌：MICROSEMI

原裝正品

  • 芯片型號(hào)：

    APTGF50DH60TG

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱：

    美高森美公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    6 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    288.1 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    APTGF50DH60TG

  • 功能描述：

    IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    半導(dǎo)體模塊 >> IGBT

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    10

  • 系列：

    GenX3™ IGBT

  • 類型：

    PT

  • 配置：

    單一 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    600V Vge,

  • Ic時(shí)的最大Vce（開）：

    1.4V @ 15V，100A 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    430A 電流 -

  • 集電極截止（最大）：

    100µA Vce

  • 時(shí)的輸入電容(Cies)：

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    1000W

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn) NTC

  • 熱敏電阻：

    無(wú)

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    SOT-227-4，miniBLOC

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    SOT-227B

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    瑞航達(dá)科技(深圳)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    唐先生 陳小姐 張先生

  • 手機(jī)：

    15989868387

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83768631/83265778/83268559

  • 地址：

    廣東省深圳市南山區(qū)前海深港合作區(qū)前灣一路1號(hào)A棟2層

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