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APT6030BVR中文資料ADPOW數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
APT6030BVR |
功能描述 | Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
文件大小 |
116.22 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Advanced Power Technology |
企業(yè)簡稱 |
ADPOW |
中文名稱 | Advanced Power Technology官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-3-16 14:54:00 |
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APT6030BVR規(guī)格書詳情
POWER MOS V? MOSFET
Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.
? Faster Switching
? Lower Leakage
? TO-247 or Surface Mount D3PAK Package
? Avalanche Energy Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號:
APT6030BVR
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 功能描述:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP/微芯 |
2406+ |
33000 |
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詢價(jià) | |||
APT |
24+ |
8866 |
詢價(jià) | ||||
Microch |
20+ |
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33560 |
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APT |
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APT |
24+ |
TO-247 |
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APTMICROSEMI |
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