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APT50GT120B2RDLG_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-美高森美

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原廠料號：APT50GT120B2RDLG品牌：Microsemi Corporation

資料說明：IGBT 1200V 106A 694W TO-247

APT50GT120B2RDLG是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商MICROSEMI/美高森美生產(chǎn)封裝TO-247-3 變式的APT50GT120B2RDLG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    apt50gt120b2rdlg

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱：

    美高森美公司

  • 資料說明：

    IGBT 1200V 106A 694W TO-247

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    APT50GT120B2RDLG

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Thunderbolt IGBT?

  • 包裝：

    托盤

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.7V @ 15V，50A

  • 開關(guān)能量：

    3585μJ（開），1910μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    23ns/215ns

  • 測試條件：

    800V，50A，4.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 描述：

    IGBT 1200V 106A 694W TO-247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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