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APT5010LVR	文件：64.4 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. POWERMOSV? PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout.. ?Fas	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT5010LVR	文件：299.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
APT5010LVR	文件：52.13 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-Channelenhancement	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT5010LVRG	文件：52.13 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-Channelenhancement	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
AR5010	文件：29.8 Kbytes Page：2 Pages	AUTOMOTIVERECTIFIERDIODES FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
AR5010	文件：749.26 Kbytes Page：2 Pages	50.0AMPS.HIGHCURRENTPLASTICSILICONRECTIFIERS	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司	YANGJIE
AR5010	文件：44.99 Kbytes Page：2 Pages	AUTOMOTIVERECTIFIERDIODES FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
AR5010	文件：249.89 Kbytes Page：2 Pages	AUTOMOTIVEBUTTONDIODE	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SHUNYE
AR5010	文件：229.82 Kbytes Page：3 Pages	HIGHCURRENTPLASTICSILICONRECTIFIER	HORNBYNantong Hornby Electronic Co.,Ltd 南通康比電子南通康比電子有限公司	HORNBY
AR5010	文件：231.34 Kbytes Page：2 Pages	AUTOMOTIVEBUTTONDIODE FEATURES .Highsurgecapability .Highcurrentcapability .Lowleakage Hightemperaturesolderingguaranteed：250℃for10 seconds	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
APT5010LVFRG
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 47A TO-264
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
POWER MOS V®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市芯澤盛世科技有限公司	APT5010LVFRG	MICROCHIP	22+		20000	原廠微芯渠道.全新原裝!	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	APT5010LVFRG	MICROCHIP(美國微芯)	23+	TO-264	7793	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價(jià)
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中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	APT5010LVFRG	Microch	20+	NA	33560	原裝優(yōu)勢主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
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深圳市川藍(lán)電子科技有限公司	APT5010LVFRG	microchip	23+		15420	原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十,	詢價(jià)

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