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APT35GP120B2DQ2G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 MICROSEMI/美高森美

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    APT35GP120B2DQ2G

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    Microsemi

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    7750

  • 產(chǎn)品封裝：

    IGBT

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-22 14:04:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠(chǎng)料號(hào)：APT35GP120B2DQ2G品牌：Microsemi

全新原裝優(yōu)勢(shì)

  • 芯片型號(hào)：

    APT35GP120B2DQ2G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱(chēng)：

    美高森美公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    44 頁(yè)

  • 文件大小：

    9860.83 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

產(chǎn)品參考屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT35GP120B2DQ2G

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    POWER MOS 7?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.9V @ 15V，35A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    750μJ（開(kāi)），680μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    16ns/95ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，35A，4.3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 描述：

    IGBT 1200V 96A 543W TMAX

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市博浩通科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王先生/羅小姐

  • 手機(jī)：

    13798567707

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-82818091

  • 傳真：

    0755-82818458

  • 地址：

    國(guó)內(nèi)業(yè)務(wù):深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北寶華大廈A座808,國(guó)際業(yè)務(wù):深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)3510A室(微信號(hào):sz8910)

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