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APT33GF120B2RDQ2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
APT33GF120B2RDQ2 |
參數(shù)屬性 | APT33GF120B2RDQ2 封裝/外殼為TO-247-3 變式;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 64A 357W TMAX |
功能描述 | FAST IGBT & FRED |
封裝外殼 | TO-247-3 變式 |
文件大小 |
454.84 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Advanced Power Technology |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ADPOW |
中文名稱 | Advanced Power Technology官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-29 11:12:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
APT33GF120B2RDQ2G
- 制造商:
Microchip Technology
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
3V @ 15V,25A
- 開關(guān)能量:
1.315mJ(開),1.515mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
14ns/185ns
- 測(cè)試條件:
800V,25A,4.3 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3 變式
- 描述:
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
2020+ |
TO-247 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
APT |
23+ |
TO-247-3() |
13024 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫存,詳 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
51000 |
一級(jí)代理-主營優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
APT |
23+ |
T-MAX |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
APT |
24+ |
TO-247-3() |
8866 |
詢價(jià) | |||
APT |
24+ |
TO-247 |
564 |
詢價(jià) | |||
Microsemi Corporation |
21+ |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | |||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
98 |
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詢價(jià) | ||
APT |
22+ |
SOT-252 |
8200 |
原裝現(xiàn)貨庫存.價(jià)格優(yōu)勢(shì)!! |
詢價(jià) | ||
APT |
TO-3P |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價(jià) |