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APT30GN60BDQ2G

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT30GN60BDQ2G

Resonant Mode Combi IGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT30GN60BDQ2G

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT30GN60BDQ2G

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT30GN60BDQ2G

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 63A 203W TO247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT30GN60BDQ2

ResonantModeCombiIGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT30GN60BDQ2

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    APT30GN60BDQ2G

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    525μJ（開），700μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    12ns/155ns

  • 測試條件：

    400V，30A，4.3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247 [B]

  • 描述：

    IGBT 600V 63A 203W TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多APT30GN60BDQ2G供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-16 9:20:00

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