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APT25GR120BSCD10 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 MICROSEMI/美高森美

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原廠料號(hào)：APT25GR120BSCD10品牌：Microsemi Corporation

公司只售原裝,支持實(shí)單

APT25GR120BSCD10是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Microsemi Corporation生產(chǎn)封裝TO247/TO-247-3的APT25GR120BSCD10晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    APT25GR120BSCD10

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱(chēng)：

    美高森美公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    44 頁(yè)

  • 文件大小：

    2833.33 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT25GR120BSCD10

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.2V @ 15V，25A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    434μJ（開(kāi)），466μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    16ns/122ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，25A，4.3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 1200V 75A 521W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市芯福林電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張女士

  • 手機(jī)：

    13786598841

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    0755-82574045

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)6608

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