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APT1002RCN	文件：49.5 Kbytes Page：4 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS POWERMOSIV? N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1002RCN	文件：297.27 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
APT1002RDN	文件：331.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
ARJ-1002	文件：628.88 Kbytes Page：2 Pages	GIGABITRJ45LANMAGNETIC	ABRACON Abracon Corporation	ABRACON
ASI1002	文件：18.18 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI1002isDesignedforGeneralPurposeClassCPowerAmplifierApplicationsupto1500MHz. FEATURES: ?PG=12dBminat2W/1,000MHz ?HermeticMicrostripPackage ?Omnigold?MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
AT-1002	文件：48.95 Kbytes Page：2 Pages	HighPowerFixedAttenuators(Radiatorbuilt-in) HighPowerFixedAttenuators(Radiatorbuilt-in) ■Features 1.SmallSizeandEconomical Berylliaisusedforthematerialoftheresistanceelementtoenabletheterminationtobeofsmallsizeandlowcost. 2.ConnectorsUsed Inthecouplingportion,theAT-1000SerieshasanSMAt	HIROSEHirose Electric Company 廣瀨日本廣瀨電機(jī)株式會(huì)社	HIROSE
AU-Y1002-A	文件：239.28 Kbytes Page：1 Pages	CABLE28AWG,UL2725	ASSMANN ASSMANN WSW COMPONENTS	ASSMANN
AXHV1002	文件：93.94 Kbytes Page：3 Pages	VCO-VoltageControlledOscillator	AXTALAdvanced XTAL Products advanced XTAL Products	AXTAL
B1002ERW	文件：200.59 Kbytes Page：2 Pages	LowCost1x2Inch10WWideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B1002R	文件：69.34 Kbytes Page：2 Pages	10W,5VDCInputCompact,DualOutputDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B1002RW	文件：74.07 Kbytes Page：2 Pages	Compact1x2Inch10WWideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B1002RW	文件：187.96 Kbytes Page：2 Pages	B1000RWSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
BL1002A	文件：59.46 Kbytes Page：1 Pages	COBwithmetalframe5x7dotswithcursor	BOLYMIN BOLYMIN INC	BOLYMIN
BMEXBP1002	文件：197.36 Kbytes Page：6 Pages	rackX80-10slots-RedundantPS-Ethernetbackplane	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德電氣	SCHNEIDER
BMEXBP1002H	文件：198.54 Kbytes Page：6 Pages	ruggedizedrackX80-10slots-RedundantPS-Ethernetbackplane	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德電氣	SCHNEIDER
BPD1002	文件：1.45962 Mbytes Page：15 Pages	BackplanesBPD,BPFforTSeries	bel Bel Fuse Inc.	bel
BR1002	文件：40.24 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS PRV:50-1000Volts Io:10Amperes FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Idealforprintedcircuitboard *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
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BR1002	文件：82.32 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE:50---1000VCURRENT:10.0A FEATURES ◇Ratingto1000VPRV ◇Surgeoverloadratingto125Amperespeak ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininexpensiveproduct ◇Mounting:thruholefor#6screwMou	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
BR1002	文件：80.92 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE:50---1000VCURRENT:10.0A FEATURES ◇Ratingto1000VPRV ◇Surgeoverloadratingto125Amperespeak ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininexpensiveproduct ◇Mounting:thruholefor#6screwMou	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN

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更多APT1002RCN供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 16:30:00

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