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APM2801BC-TR	文件：607.21 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode Features MOSFET ●-20V/-1.5A, RDS(ON)=145mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=180mW(typ.)@VGS=-2.5V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) SBD ●LowForwardVoltage Applications ●PowerManagementinNotebookComputer, PortableE	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達(dá)電子茂達(dá)電子股份有限公司	ANPEC
APM2801BC-TRL	文件：607.21 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode Features MOSFET ●-20V/-1.5A, RDS(ON)=145mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=180mW(typ.)@VGS=-2.5V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) SBD ●LowForwardVoltage Applications ●PowerManagementinNotebookComputer, PortableE	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達(dá)電子茂達(dá)電子股份有限公司	ANPEC
APM2801BC-TU	文件：607.21 Kbytes Page：11 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFETwithSchottkyDiode Features MOSFET ●-20V/-1.5A, RDS(ON)=145mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=180mW(typ.)@VGS=-2.5V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) SBD ●LowForwardVoltage Applications ●PowerManagementinNotebookComputer, PortableE	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達(dá)電子茂達(dá)電子股份有限公司	ANPEC
APM2801BC-TUL	文件：607.21 Kbytes Page：11 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFETwithSchottkyDiode Features MOSFET ●-20V/-1.5A, RDS(ON)=145mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=180mW(typ.)@VGS=-2.5V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) SBD ●LowForwardVoltage Applications ●PowerManagementinNotebookComputer, PortableE	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達(dá)電子茂達(dá)電子股份有限公司	ANPEC
ASIKV2801	文件：16.97 Kbytes Page：1 Pages	SILICONHYPERABRUPTTUNINGVARACTOR	ASI Advanced Semiconductor	ASI
BGA2801	文件：552.63 Kbytes Page：18 Pages	MMICwidebandamplifier	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BGA2801	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
CFS2801	文件：151.7 Kbytes Page：1 Pages	WIREWOUNDCOMMONMODEFILTERS	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
CM2801B	文件：273.83 Kbytes Page：5 Pages	ELECTRICALLYERASABLEPROGRAMMABLEREADONLYMEMORY	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
DS2801	文件：506.96 Kbytes Page：2 Pages	PFTHydrostaticLevelSensor	TTELECTT Electronics. TT電子公司梯梯電子集成制造服務(wù)(蘇州)有限公司	TTELEC
E2801	文件：28.53 Kbytes Page：2 Pages	GR-253-CoreSMC(SONETminimumclock)andITUG.813Option2MinatureSurfaceMountTCXO	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
E2801LF	文件：28.53 Kbytes Page：2 Pages	GR-253-CoreSMC(SONETminimumclock)andITUG.813Option2MinatureSurfaceMountTCXO	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
EMH2801	文件：366.73 Kbytes Page：5 Pages	SBD:SchottkyBarrierDiodeGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFET SBD:SchottkyBarrierDiode Features ?CompositetypewithaP-ChannelSilliconMOSFETandaSchottkyBarrierDiodecontainedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting ?[MOSFET] ?LowON-resistance ?1.8Vdrive ?[SBD] ?Smallswitching	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會社	SANYO
EMH2801	文件：660.08 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelPowerMOSFET P-ChannelPowerMOSFET –20V,–3A,85mΩ,SingleEMH8withSchottkyDiode Features ?CompositetypewithaP-ChannelSilliconMOSFETandaSchottkyBarrierDiodecontainedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting ?[MOSFET] ?LowON-resistance ?1.8Vdrive ?[SBD] ?Smal	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
EMH2801-TL-H	文件：660.08 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelPowerMOSFET P-ChannelPowerMOSFET –20V,–3A,85mΩ,SingleEMH8withSchottkyDiode Features ?CompositetypewithaP-ChannelSilliconMOSFETandaSchottkyBarrierDiodecontainedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting ?[MOSFET] ?LowON-resistance ?1.8Vdrive ?[SBD] ?Smal	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
APM2801BC-TR
制造商：
ANPEC
制造商全稱：
Anpec Electronics Coropration
功能描述：
P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode

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