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AP70T03AJ	文件：76.49 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement, Low Gate Charge Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-252packageisuniversallypreferredforallcommercialindustrialsurfacemountapplicationsandsuitedfo	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP70T03AS	文件：77.61 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,LowGateCharge Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-263packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedf	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP70T03GH	文件：75.45 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-252packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvol	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP70T03GH	文件：103.99 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP70T03GH	文件：1.0177 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AP70T03GH-HF	文件：106.76 Kbytes Page：5 Pages	SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP70T03GI	文件：504.22 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
AP70T03GI	文件：127.75 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingPerformance,SingleDriveRequirement Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220CFMisolationpackageiswidelypreferredforcommercial-industrialthroughholeapplications. ▼Fast	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP70T03GJ	文件：103.99 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP70T03GJ	文件：75.45 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-252packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvol	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
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AP70T03GJ-HF	文件：103.99 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,LowGateCharge Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-252packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvol	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP70T03GP	文件：103.79 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,LowGateCharge Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-263packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvo	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP70T03GS	文件：103.79 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,LowGateCharge Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-263packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvo	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
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GE70T03	文件：241.77 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGE70T03providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. Thethrough-holeversion(TO-220)isavailableforlow-profileapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverte	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
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