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AP6618GM-HF	文件：100.58 Kbytes Page：4 Pages	Low On-resistance, Fast Switching Characteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP6618GM-HF_14	文件：100.58 Kbytes Page：4 Pages	Fast Switching Characteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AWU6618	文件：872.94 Kbytes Page：10 Pages	HELP3EDual-bandIMT&EGSMWCDMA3.4VLinearPowerAmplifierModule	ANADIGICS ANADIGICS, Inc	ANADIGICS
CGA-6618	文件：427.06 Kbytes Page：10 Pages	DUALCATV1MHzto1000MHzHIGHLINEARITYGaAsHBTAMPLIFIER ProductDescription RFMD’sCGA-6681(Z)isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesleakagecurren	RFMD RF Micro Devices	RFMD
CGA-6618	文件：297.61 Kbytes Page：8 Pages	DualCATV1MHzto1000MHzHighLinearityGaAsHBTAmplifier ProductDescription SirenzaMicrodevice’sCGA-6618isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesle	SIRENZA SIRENZA MICRODEVICES	SIRENZA
CGA-6618	文件：323.83 Kbytes Page：5 Pages	DUALCATVBROADBANDHIGHLINEARITYGAASHBTAMPLIFIER ProductDescription StanfordMicrodevice’sCGA-6618isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesl	STANFORD Stanford Microdevices	STANFORD
CGA-6618Z	文件：427.06 Kbytes Page：10 Pages	DUALCATV1MHzto1000MHzHIGHLINEARITYGaAsHBTAMPLIFIER ProductDescription RFMD’sCGA-6681(Z)isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesleakagecurren	RFMD RF Micro Devices	RFMD
CGA-6618Z	文件：297.61 Kbytes Page：8 Pages	DualCATV1MHzto1000MHzHighLinearityGaAsHBTAmplifier ProductDescription SirenzaMicrodevice’sCGA-6618isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesle	SIRENZA SIRENZA MICRODEVICES	SIRENZA
GSC6618	文件：275.19 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
HM6618A	文件：2.14584 Mbytes Page：7 Pages	integratedUSBType-C	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM6618B	文件：2.14584 Mbytes Page：7 Pages	integratedUSBType-C	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
IRF6618	文件：230.62 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description TheIRF6609combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge	IRF International Rectifier	IRF
IRF6618	文件：234.56 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheIRF6618combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge	IRF International Rectifier	IRF
IRF6618PBF	文件：240.91 Kbytes Page：8 Pages	DirectFET?PowerMOSFET? Description TheIRF6618PbFcombinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF6618PBF	文件：250.25 Kbytes Page：9 Pages	IdealforCPUCoreDC-DCConverters	IRF International Rectifier	IRF
IRF6618TRPBF	文件：250.25 Kbytes Page：9 Pages	IdealforCPUCoreDC-DCConverters	IRF International Rectifier	IRF
IRF6618TRPBF	文件：240.91 Kbytes Page：8 Pages	DirectFET?PowerMOSFET? Description TheIRF6618PbFcombinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
LMH6618	文件：1.12851 Mbytes Page：26 Pages	130MHz,1.25mARail-to-RailInputandOutputOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH6618	文件：1.1904 Mbytes Page：28 Pages	PowerWise?130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH6618	文件：2.37257 Mbytes Page：38 Pages	130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	AP6618GM-HF	SR	23+	SO-8	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	AP6618GM-HF	ADVANCED	1629+	SOP8	6585	代理品牌	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	AP6618GM-HF	APEC	20+	SOP-8	63258	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	AP6618GM-HF	APEC/富鼎	2020+	SOP-8	80000	只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	AP6618GM-HF	APEC/富鼎	23+	SOP-8	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	AP6618GM-HF	APEC/富鼎	23+	SOP-8	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	AP6618GM-HF	APEC/富鼎	2022+	SOP-8	37134	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
深圳市智創(chuàng)誠(chéng)芯電子科技有限公司	AP6618GM-HF	APEC/富鼎	22+	SOP-8	25000	原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠,假一罰十	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	AP6618GM-HF	APEC	23+	SOP-8	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	AP6618GM-HF	APEC/富鼎	20+	SOP-8	3673	一級(jí)代理,專注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)

更多AP6618GM-HF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 15:36:00

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