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AP18P10GI

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=160mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designed

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AP18P10GI

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AP18P10GI_14

Simple Drive Requirement

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AP18P10GJ-HF

FastSwitchingCharacteristic

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AP18P10GK-HF

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AP18P10GS

P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AP18P10GS-HF

FastSwitchingCharacteristic

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

CJU18P10

P-ChannelPowerMOSFET

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

FTK18P10D

-100V/-18AP-ChannelPowerMOSFET

FS

First Silicon Co., Ltd

HM18P10

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

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更多AP18P10GI供應商 更新時間2025-4-14 11:07:00

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