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AP10P10GH,J-HF	文件：107.34 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
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AP10P10GH-HF	文件：1.04415 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AP10P10GJ-HF	文件：959.66 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AP10P10GJ-HF	文件：106.14 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP10P10GK-HF	文件：54.97 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
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CED10P10	文件：389.96 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-100V,-8A,RDS(ON)=350mΩ@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP10P10	文件：401.49 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-100V,-9A,RDS(ON)=350mΩ@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU10P10	文件：389.96 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-100V,-8A,RDS(ON)=350mΩ@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
HM10P10D	文件：683.03 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM10P10Q	文件：791.86 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
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MDT10P10	文件：159.97 Kbytes Page：16 Pages	8-bitmicro-controller	MDTICMicon Design Technology Corporation 麥肯積體電路麥肯積體電路股份有限公司	MDTIC
MDT10P10	文件：154.78 Kbytes Page：16 Pages	8-bitmicro-controller	MDTICMicon Design Technology Corporation 麥肯積體電路麥肯積體電路股份有限公司	MDTIC
MDT10P10BE	文件：159.97 Kbytes Page：16 Pages	8-bitmicro-controller	MDTICMicon Design Technology Corporation 麥肯積體電路麥肯積體電路股份有限公司	MDTIC
MDT10P10BG	文件：132.75 Kbytes Page：16 Pages	8-bitmicro-controller	MDTICMicon Design Technology Corporation 麥肯積體電路麥肯積體電路股份有限公司	MDTIC
PJD10P10A	文件：381.72 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
V10P10	文件：111.91 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLow FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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更多AP10P10GH,J-HF供應(yīng)商更新時間2025-1-6 10:26:00

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