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EMB08N03A

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMB08N03V

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)8mΩ ID22A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

FQ08N03Q

Plastic-EncapsulateMOSFETS

DESCRIPTION TheFQ08N03QcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnology withalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).This deviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications APPLICATIONS Batteryprotectionapplications Loadswitch

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

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更多AP08N03GP供應(yīng)商 更新時間2024-12-29 16:00:00

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