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CS12N60F

SiliconN-ChannelPowerMOSFET

Features: -FastSwitching -LowONResistance(Rdson≤0.75Ω) -LowGateCharge(TypicalData:40nC) -LowReversetransfercapacitances(Typical:10pF) -100SinglePulseavalancheenergyTest

HUAJING-MICROHUAJING MICROELECTRONICS

華潤微電子華潤微電子有限公司

E12N60

12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導體江蘇東海半導體股份有限公司

E12N60

12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導體江蘇東海半導體股份有限公司

E12N60

12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導體江蘇東海半導體股份有限公司

E12N60

12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導體江蘇東海半導體股份有限公司

EMD12N60F

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS600V RDSON(MAX.)0.75Ω ID12A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

F12N60

12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導體江蘇東海半導體股份有限公司

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東海半導體江蘇東海半導體股份有限公司

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東海半導體江蘇東海半導體股份有限公司

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12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導體江蘇東海半導體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    AOW12N60

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 12A TO262

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Alpha & Omega Semiconductor In
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TO-262
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晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多AOW12N60供應商 更新時間2025-3-26 16:38:00