AOTF25S65中文資料萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
AOTF25S65規(guī)格書(shū)詳情
General Description
The AOT25S65 & AOB25S65 & AOTF25S65 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline power supply designs.
Product Summary
VDS @ Tj,max 750V
IDM 104A
RDS(ON),max 0.19?
Qg,typ 26.4nC
Eoss @ 400V 5.8μC
100 UIS Tested
100 Rg Tested
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
AOTF25S65
- 功能描述：
MOSFET N-CH 650V 25A TO220F
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
aMOS™
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS萬(wàn)代 |
20+ |
TO-220F |
36900 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
AOS/萬(wàn)代 |
1511+ |
TO-220F |
90 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
AOS/萬(wàn)代 |
22+ |
TO220F |
25000 |
AOS/萬(wàn)代全系列在售 |
詢價(jià) | ||
AOS/ 萬(wàn)代 |
22+ |
TO-220F |
5623 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | ||
AOS/萬(wàn)代 |
1311+ |
TO-220 |
27921 |
進(jìn)口管盒環(huán)保/50 |
詢價(jià) | ||
AOS/萬(wàn)代 |
21+ |
TO-220F |
330000 |
優(yōu)勢(shì)供應(yīng) 實(shí)單必成 可13點(diǎn)增值稅 |
詢價(jià) | ||
AOS/萬(wàn)代 |
2022+ |
TO-220F |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
AOS萬(wàn)代 |
TO-220F |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價(jià) | |||
AOS/萬(wàn)代 |
23+ |
TO220F |
30000 |
原裝正品假一罰十,代理渠道價(jià)格優(yōu) |
詢價(jià) | ||
AOS |
24+ |
TO-220F |
41 |
原裝正品,歡迎來(lái)電咨詢! |
詢價(jià) |
