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AOT12N65中文資料萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

AOT12N65
廠商型號(hào)

AOT12N65

功能描述

650V, 12A N-Channel MOSFET

文件大小

385.6 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

AOSMD萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-5 23:00:00

AOT12N65規(guī)格書(shū)詳情

AOTF12N65 -> Marking : TF12N65

The AOT12N65 & AOTF12N65 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.

http://www.aosmd.com/res/markings/AOTF12N65.pdf

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AOT12N65

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 650V 12A TO220

  • RoHS:

  • 類(lèi)別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
AOS/萬(wàn)代
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NA/
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