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AOP609

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheAOP609usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedinH-bridge,Invertersandotherapplications.StandardProductAOP609isPbfree(meetsROHS&Sony259specifications). AOP609L

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOP609L

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheAOP609usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedinH-bridge,Invertersandotherapplications.StandardProductAOP609isPbfree(meetsROHS&Sony259specifications). AOP609L

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

APT609RKVR

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AR609

RECTIFIERDIODE

RECTIFIERDIODE Repetitivevoltageupto600V Meanforwardcurrent5380A Surgecurrent50.4kA

POSEICO

Power Semiconductors

AR609LT

RECTIFIERDIODE

RECTIFIERDIODE Repetitivevoltageupto600V Meanforwardcurrent6825A Surgecurrent60kA

POSEICO

Power Semiconductors

ARH609

TO-8BHCASCADABLEARH609AMPLIFIER

TELEDYNE

Teledyne Technologies Incorporated

BB609

SiliconVariableCapacitanceDiodes

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BB609A

SiliconVariableCapacitanceDiodes

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BB609B

SiliconVariableCapacitanceDiodes

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BT-BS-609

STRAPWRENCHENVELOPEDRAWING

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    AOP609

  • 功能描述：

    MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-PDIP

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個 N 溝道（雙） FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
AOSMD
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8-DIP
4930
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AlphaSemiconductor&Omega
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8-PDIP
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全新原裝深圳現(xiàn)貨
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更多AOP609供應(yīng)商 更新時間2025-3-26 14:54:00

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