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AOP605中文資料萬國半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AOP605
廠商型號

AOP605

功能描述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

188.26 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD萬國半導體

中文名稱

美國萬國半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-5 22:30:00

AOP605規(guī)格書詳情

General Description

The AOP605/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. AOP605 and AOP605L are electrically identical.

-RoHS Compliant

-AOP605L is Halogen Free

Features

n-channel p-channel

VDS(V) = 30V -30V

ID= 7.5A (VGS= 10V) -6.6A (VGS= -10V)

???????

RDS(ON)

< 28m? (VGS= 10V) < 35m? (VGS= -10V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AOP605

  • 功能描述:

    MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標準包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個 N 溝道(雙) FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

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