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AOL1412	文件：166.76 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOL1412usesadvancedtrenchtechnologywithamonolithicallyintegratedSchottkydiodetoprovideexcellentRDS(ON),andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasalowsideFETinSMPS,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOL1412is	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
APBP1412	文件：38.5 Kbytes Page：1 Pages	PVCBackPanel	FIBOXFIBOX Enclosing innovations 菲寶斯廣州菲寶克斯工程塑料有限公司	FIBOX
ARS1412	文件：375.13 Kbytes Page：12 Pages	3GHzMICROWAVERELAYSMiniaturesizeLineupincludes50/75廓type FEATURES 1.Superminiaturedesign 14×8.6×7.2mm.551×.339×.283inch (standardPCboardterminal) 2.Lineupincludessilenttype.(75?typeonly) Operationnoise(Unit:dB) 3.Excellenthighfrequencycharacteristics 4.Lineupincludessurface-mountterminaltype E	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
ASPK1412	文件：46.27 Kbytes Page：1 Pages	SwingPanelKitincl.Panel	FIBOXFIBOX Enclosing innovations 菲寶斯廣州菲寶克斯工程塑料有限公司	FIBOX
B1412	文件：209.53 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconLowFrequencyTransistor Features 1)LowVCE(sat). 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics 3)Complementsthe2SD2118	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
B1412	文件：107.17 Kbytes Page：5 Pages	LowFrequencyTransistor(-20V,-5A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2098/2SD2118/2SD2097/2SD2166.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
B1412	文件：818.25 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features LowVCE(sat),excellentDCcurrentgaincharacteristics,complementsthe2SD2118. Applications Mediumpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
B1412	文件：458.52 Kbytes Page：2 Pages	TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerAmplifierApplications	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
B1412	文件：265.26 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ?Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1205-usedsetsmaller ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ?Fastswitchingspeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Poweramplifie	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
B1412	文件：249.13 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Features: ExcellentDCCurrentGainCharacteristics LowVCE(Sat)	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
B1412	文件：100.53 Kbytes Page：5 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR ■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
BURNDY_YF1412ID	文件：271.86 Kbytes Page：2 Pages	ElectCuSingleInsulWireFerrules,SmoothFunnelEntry,14AWG,0.71L,TinPlated,Blue,ForuseonCuCond.	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL
BURNDY_YF1412IT	文件：271.9 Kbytes Page：2 Pages	ElectCuSingleInsulWireFerrules,SmoothFunnelEntry,14AWG,0.71L,TinPlated,Gray,ForuseonCuCond.	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL
BURNDY_YF1412IW	文件：254.57 Kbytes Page：2 Pages	ElectCuSingleInsulWireFerrules,SmoothFunnelEntry,14AWG,0.71L,TinPlated,Blue.	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL
BURNDY_YF1412UI	文件：258.709 Kbytes Page：2 Pages	CuAlloyBareFerrule,SmoothFunnelEntry,14AWG,0.47L,Seamlessbbl,TinPlated,ForUseOnCuCond.	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL
C1412COA	文件：343.5 Kbytes Page：16 Pages	2AHigh-SpeedMOSFETDrivers	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
C1412CPA	文件：343.5 Kbytes Page：16 Pages	2AHigh-SpeedMOSFETDrivers	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
C1412CUA	文件：343.5 Kbytes Page：16 Pages	2AHigh-SpeedMOSFETDrivers	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
C1412EOA	文件：343.5 Kbytes Page：16 Pages	2AHigh-SpeedMOSFETDrivers	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
C1412EPA	文件：343.5 Kbytes Page：16 Pages	2AHigh-SpeedMOSFETDrivers	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

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詳細參數(shù)

型號：
AOL1412
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 85A ULTRA SO-8
RoHS：
是
類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
SRFET™
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多AOL1412供應商更新時間2025-1-12 10:20:00

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