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AOD4102中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AOD4102
廠商型號

AOD4102

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

151.96 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD萬國半導(dǎo)體

中文名稱

美國萬國半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-31 15:04:00

AOD4102規(guī)格書詳情

General Description

The AOD4102/AOI4102 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications.

Product Summary

VDS 30V

ID (at VGS=10V) 19A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 37m?

RDS(ON) (at VGS = 4.5V)

100 UIS Tested

100 Rg Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AOD4102

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 19A TO-252

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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