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AOD407中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AOD407
廠商型號

AOD407

功能描述

P-Channel -60 V (D-S) MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

AOD407

封裝外殼

TO-252

文件大小

401.99 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡稱

EVVOSEMI翊歐

中文名稱

翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-2-19 17:30:00

AOD407規(guī)格書詳情

General Description

The AOD407 uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge and low

gate resistance. With the excellent thermal resistance

of the TO-252 package, this device is well suited for

high current load applications.

Features

VDS (V) = -60V

ID = -12A (VGS = -10V)

RDS(ON) < 115mΩ (VGS = -10V)

RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AOD407

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -60V -12A TO-252

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
AOS
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TO-252-2(DPAK)
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