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AOB286L	文件：284.37 Kbytes Page：6 Pages	80V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAOT286L/AOB286LusesTrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),CissandCoss.Thisdevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOB286L	文件：289.93 Kbytes Page：6 Pages	80V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAOT286L/AOB286LusesTrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),CissandCoss.Thisdevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOB286L	文件：2.21301 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 80 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AOB286L	文件：283.31 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOT286L	文件：1.60735 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
AOT286L	文件：289.93 Kbytes Page：6 Pages	80VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT286L/AOB286LusesTrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),CissandCoss.Thisdevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOT286L	文件：339.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOTF286L	文件：242.4 Kbytes Page：6 Pages	80VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOTF286L	文件：280.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BAS286	文件：52.62 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ?Integratedprotectionringagainststaticdischarge ?Verylowforwardvoltage ?AEC-Q101qualified ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Applicationswhereaverylowforwardvoltageisrequired	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BAS286	文件：185.67 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSchottkyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BAS286	文件：174.49 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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BC286	文件：112.42 Kbytes Page：2 Pages	AUDIOAMPLIFIER DESCRIPTION TheBC286isasiliconplanarepitaxialNPNtrans- istorinJedecTO-39metalcase.Itismainlyinten- dedforuseasaudioamplifier. ThecomplementaryPNPtypeistheBC287.	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BD-E286RD	文件：196.07 Kbytes Page：3 Pages	superredchips,whicharemadefromAlGaAsonGaAssubstrate	BRIGHTBRIGHT LED ELECTRONICS CORP 步來(lái)特電器寧波步來(lái)特電器有限公司	BRIGHT
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更多AOB286L供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-5 14:14:00

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