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AOB11S65L

Marking：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?LowswitchinglossesduetoreducedQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Telecommunications -Serverandtelecompowersupplies ?Light

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

AOB11S65L

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andAC-DCapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AOT11S65

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

AOT11S65

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AOT11S65

650V11AaMOSPowerTransistor

GeneralDescription TheAOT11S65&AOB11S65&AOTF11S65havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanch

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

AOT11S65L

650V11AaMOSTMPowerTransistor

GeneralDescription TheAOT11S65L&AOB11S65L&AOTF11S65L &AOTF11S65havebeenfabricatedusingthe advancedaMOSTMhighvoltageprocessthatis designedtodeliverhighlevelsofperformanceand robustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),Qg andEOSSalongwith guar

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

AOTF11S65

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AOTF11S65

650V11AaMOSPowerTransistor

GeneralDescription TheAOT11S65&AOB11S65&AOTF11S65havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanch

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

AOW11S65

650V11AaMOSTMPowerTransistor

GeneralDescription TheAOW11S65&AOWF11S65havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilityt

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

AOW11S65

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=11A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.399Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-L

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    AOB11S65L

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 650V 11A TO263

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    aMOS™

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Alpha & Omega Semiconductor In
24+
TO-263(D2Pak)
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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AOS/萬代
2019+
TO-263
18000
原廠渠道 可含稅出貨
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AO/萬代
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9865
原裝MOS管(場效應管).
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Alpha & Omega Semiconductor In
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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Alpha & Omega Semiconductor In
21+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
更多AOB11S65L供應商 更新時間2025-3-24 14:13:00

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