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AO8830中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO8830
廠商型號

AO8830

功能描述

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

121.07 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD萬國半導(dǎo)體

中文名稱

美國萬國半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-3 22:58:00

AO8830規(guī)格書詳情

General Description

The AO8830 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration. Standard Product AO8830 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO8830L is a Green Product ordering option. AO8830 and AO8830L are electrically identical.

Features

VDS (V) = 20V

ID = 6 A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 27m? (VGS = 10V)

RDS(ON) < 30m? (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 41m? (VGS = 2.5V)

RDS(ON) < 55m? (VGS = 1.8V)

ESD Rating: 2000V HBM

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AO8830

  • 功能描述:

    MOSFET DUAL N-CH 20V 6A 8-TSSOP

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標準包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個 N 溝道(雙) FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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