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NTD6414AN

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD6414AN

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=37mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NTD6414AN

N-ChannelPowerMOSFET100V,32A,37m

Features ?LowRDS(on) ?HighCurrentCapability ?100AvalancheTested ?AECQ101Qualified?NVD6414AN ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVD6414AN

N-ChannelPowerMOSFET100V,32A,37m

Features ?LowRDS(on) ?HighCurrentCapability ?100AvalancheTested ?AECQ101Qualified?NVD6414AN ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVD6414AN

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=37mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NX6414EH

LASERDIODE1490nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODE

CEL

California Eastern Labs

NX6414EH

LASERDIODE1490nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEFORGIGABITETHERNETANDPointtoPointAPPLICATION

DESCRIPTION TheNX6414EHisa1490nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD. FEATURES ?OpticaloutputpowerPo=14.0mW ?Lowthresholdcurrentlth=10mA ?Differentialefficiencyηd=0.25W/A ?Wideoperatingtemperat

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

PJS6414

20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

PJS6414

20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@4.5V,ID@6.6A

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

S6414

Nytyes?withStainlessSteelLockingDevice

HeycoHeyco.

?？?/span>

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    AO6414

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 2.3A 6-TSOP

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ALPHA
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SOT23-6
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ALPHA全新特價AO6414即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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TSOP-6
57000
原裝正品現(xiàn)貨
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TSOP-6
10945
全新原裝現(xiàn)貨,可出樣品,可開增值稅發(fā)票
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原裝AOS
19+
TSOP6
20000
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