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AO4840中文資料杜因特?cái)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

AO4840
廠(chǎng)商型號(hào)

AO4840

功能描述

Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件大小

1.28309 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

DOINGTER杜因特

中文名稱(chēng)

深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-2-13 22:58:00

AO4840規(guī)格書(shū)詳情

Description:

This Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

Features:

1) VDS=40V,ID=7A,RDS(ON)<32mΩ @VGS=4.5V

2) Low gate charge.

3) Green device available.

4) Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON).

5) Excellent package for good heat dissipation.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AO4840

  • 功能描述:

    MOSFET DUAL N-CH 40V 6A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 類(lèi)別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個(gè) N 溝道(雙) FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱(chēng):

    SI7948DP-T1-GE3DKR

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