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AO4611中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO4611
廠商型號

AO4611

功能描述

60V Dual P N-Channel MOSFET

文件大小

219.56 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD萬國半導(dǎo)體

中文名稱

美國萬國半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-10 14:53:00

AO4611規(guī)格書詳情

General Description

The AO4611 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications.

Product Summary

N-Channel P-Channel

VDS(V) = 60V -60V

ID = 6.3A (VGS=10V) -4.9A

RDS(ON)

< 25m?(VGS=10V) < 42m?(VGS= -10V)

< 30m?(VGS=4.5V) < 52m?(VGS= -4.5V)

???????

100 UIS Tested 100 UIS Tested

100 Rg Tested 100 Rg Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AO4611

  • 功能描述:

    MOSFET N+P 60V 6.3A/4.9A 8SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標準包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個 N 溝道(雙) FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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